SiC MOSFETのゲート駆動条件がスイッチング特性に及ぼす影響に関する実験的検討 (モータドライブ 回転機 自動車合同研究会・自動車用など用途指向形モータドライブ)

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SiC MOSFETのゲート駆動条件がスイッチング特性に及ぼす影響に関する実験的検討

(モータドライブ 回転機 自動車合同研究会・自動車用など用途指向形モータドライブ)

国立国会図書館請求記号
Z74-H86
国立国会図書館書誌ID
030551751
資料種別
記事
著者
阪部 智城ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2020-05-14
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. MD / モータドライブ研究会 [編] 2020(66-73):2020.5.14
掲載ページ
p.43-48
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
阪部 智城
井渕 貴章
舟木 剛
並列タイトル等
An experimental study on the effects of gate drive condition of SiC MOSFET on switching behavior
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. MD / モータドライブ研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2020(66-73):2020.5.14
掲載巻
2020
掲載号
66-73