原子層堆積法による極...

原子層堆積法による極薄膜金属中間層形成を利用した低温Cu-Cu疑似直接接合技術 (Mate2020特集号 : 第26回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム)

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原子層堆積法による極薄膜金属中間層形成を利用した低温Cu-Cu疑似直接接合技術(Mate2020特集号 : 第26回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム)

国立国会図書館請求記号
Z74-H317
国立国会図書館書誌ID
030653379
資料種別
記事
著者
手塚 彩水ほか
出版者
大阪 : 高温学会
出版年
2020-09
資料形態
掲載誌名
スマートプロセス学会誌 = Journal of smart processing 9(5):2020.9
掲載ページ
p.232-236
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
手塚 彩水
山田 紘右
河合 Alaric 洋平
桑江 博之
庄子 習一
百瀬 渉
水野 潤
並列タイトル等
Low Temperature Copper-Copper Quasi-Di rect Bonding Utilizing Ultra-Thin Metal Interlayer Formation by Atomic Layer Deposition
タイトル(掲載誌)
スマートプロセス学会誌 = Journal of smart processing
巻号年月日等(掲載誌)
9(5):2020.9
掲載巻
9
掲載号
5