RF-MBEを用いたファンデルワールスエピタキシーによるグラフェン構造への窒化インジウム結晶成長(特集半導体エレクトロニクス)

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資料種別: 記事
タイトル: RF-MBEを用いたファンデルワールスエピタキシーによるグラフェン構造への窒化インジウム結晶成長
著者・編者: 毛利真一郎
荒川真吾
大江佑京
名西穂之
荒木努
シリーズタイトル: 特集半導体エレクトロニクス
著者標目: 毛利真一郎
荒川真吾
大江佑京
名西穂之
荒木努
並列タイトル等: Van der Waals Epitaxy of Indium Nitride Crystals on Graphitic Structure by RF-MBE
タイトル（掲載誌）: 材料 / 日本材料学会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）: 69(10):2020.10
掲載巻: 69
掲載号: 10
掲載ページ: 701-706
掲載年月日（W3CDTF）: 2020-10
ISSN（掲載誌）: 0514-5163
ISSN-L（掲載誌）: 0514-5163
出版事項（掲載誌）: 京都 : 日本材料学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: van der Waals epitaxy
Indium nitride
Graphene
NDLC: ZM16
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z14-267
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 030702887
http://id.ndl.go.jp/bib/030702887
整理区分コード: 632