有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の紫外線重合における光重合開始剤の検討(特集半導体エレクトロニクス)

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資料種別: 記事
タイトル: 有機薄膜トランジスタ用ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の紫外線重合における光重合開始剤の検討
著者・編者: 秦野航輔
中原佳夫
宇野和行
田中一郎
シリーズタイトル: 特集半導体エレクトロニクス
著者標目: 秦野航輔
中原佳夫
宇野和行
田中一郎
並列タイトル等: Investigation of Photo-Initiators for Ultra-Violet Light Cured Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers of Organic Thin Film Transistors
タイトル（掲載誌）: 材料 / 日本材料学会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）: 69(10):2020.10
掲載巻: 69
掲載号: 10
掲載ページ: 712-716
掲載年月日（W3CDTF）: 2020-10
ISSN（掲載誌）: 0514-5163
ISSN-L（掲載誌）: 0514-5163
出版事項（掲載誌）: 京都 : 日本材料学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: Polysilsesquioxane
Gate dielectric
Pentacene
Thin film transistors
UV-light curing
photo-initiator
hole mobility
NDLC: ZM16
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z14-267
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 030702894
http://id.ndl.go.jp/bib/030702894
整理区分コード: 632