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赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング (電子デバイス 半導体電力交換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング

(電子デバイス 半導体電力交換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

国立国会図書館請求記号
Z43-225
国立国会図書館書誌ID
031283075
資料種別
記事
著者
増田 貴樹ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2020-12-21
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2020(50-64):2020.12.21
掲載ページ
p.81-86
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
増田 貴樹
渡邉 晃彦
大村 一郎
並列タイトル等
Simultaneous Monitoring of Strain and Temperature for Power Semiconductor using Single IR Camera
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2020(50-64):2020.12.21
掲載巻
2020
掲載号
50-64