微分位相コントラストSTEMによる材料・デバイス局所電磁場解析 (電子デバイス研究会高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用)

微分位相コントラストSTEMによる材料・デバイス局所電磁場解析

(電子デバイス研究会高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用)

掲載誌名: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2021(24-33):2021.3.3

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資料種別: 記事
タイトル: 微分位相コントラストSTEMによる材料・デバイス局所電磁場解析
著者・編者: 柴田直哉
シリーズタイトル: 電子デバイス研究会高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用
著者標目: 柴田直哉
並列タイトル等: Direct electromagnetic field imaging of materials and devices by DPC STEM
タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）: 2021(24-33):2021.3.3
掲載巻: 2021
掲載号: 24-33
掲載ページ: 1-4
掲載年月日（W3CDTF）: 2021-03-03
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 走査型透過電子顕微鏡
電磁場
界面
Scanning transmission electron microscopy
Electromagnetic field
interface
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: EDD-21-024
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z43-225
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 031403907
http://id.ndl.go.jp/bib/031403907
整理区分コード: 632