デバイス用基板上SiC単結晶薄膜を用いた超高品質グラフェンと高周波デバイスの廉価な製造法の創出(特集 2020年日本表面真空学会学術講演会特集号(1))

• 資料種別: 記事
• タイトル: デバイス用基板上SiC単結晶薄膜を用いた超高品質グラフェンと高周波デバイスの廉価な製造法の創出
• 著者・編者: 吹留 博一
• シリーズタイトル: 特集 2020年日本表面真空学会学術講演会特集号(1)
• 著者標目: 吹留 博一
• 並列タイトル等: Creation of Affordable Manufacturing Processes of Ultrahigh-quality Graphene Growth and High-frequency Graphene Devices by Using Single-crystalline SiC Thin Films on Device-type Substrates
• タイトル（掲載誌）: 表面と真空 = Vacuum and surface science / 日本表面科学会, 日本真空学会 編
• 巻号年月日等（掲載誌）: 64(7):2021.7
• 掲載巻: 64
• 掲載号: 7
• 掲載ページ: 318-323
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2021-07
• ISSN（掲載誌）: 2433-5835
• ISSN-L（掲載誌）: 2433-5835
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本表面科学会 ; 2018-
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: graphene; SiC; affordable cost; Beyond 5G; Society 5.0 for SDGs
• NDLC: ZN15
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-474
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 031613611; http://id.ndl.go.jp/bib/031613611
• 整理区分コード: 632