走査型プローブ顕微鏡を用いた電圧印加中のSiCプレーナ型パワーMOSFETの観測
デジタルデータあり（Japan Link Center）
すぐに読む
CiNii Research
全国の図書館の所蔵
国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。
所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 土井 敦史佐藤 宣夫山本 秀和
- 並列タイトル等
- Observation of Power MOSFET Composed of Silicon Carbide with a Planar Type in the Voltage Applying State Using a Scanning Probe Microscope
- タイトル（掲載誌）
- 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン部門誌 = IEEJ transactions on sensors and micromachines
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 141(10):2021.10
- 掲載巻
- 141
- 掲載号
- 10
- 掲載ページ
- 349-355