ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製 (特集ワイドバンドギャップ材料の結晶成長の最前線)

ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製

(特集ワイドバンドギャップ材料の結晶成長の最前線)

掲載誌名: 日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 48(3):2021

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資料種別: 記事
タイトル: ポイントシード技術を用いたNaフラックス法による高品質・大口径GaNウエハの作製
著者・編者: 今西正幸
村上航介
宇佐美茂佳
丸山美帆子
吉村政志
森勇介
シリーズタイトル: 特集ワイドバンドギャップ材料の結晶成長の最前線
著者標目: 今西正幸
村上航介
宇佐美茂佳
丸山美帆子
吉村政志
森勇介
並列タイトル等: Fabrication of High-Quality and Large-Diameter GaN Wafer by the Na-Flux Method with a Point Seed Technique
タイトル（掲載誌）: 日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
巻号年月日等（掲載誌）: 48(3):2021
掲載巻: 48
掲載号: 3
掲載ページ: 1-9
掲載年月日（W3CDTF）: 2021
ISSN（掲載誌）: 2188-7268
ISSN-L（掲載誌）: 0385-6275
出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本結晶成長学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: YH247-1397
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 031776655
http://id.ndl.go.jp/bib/031776655
整理区分コード: 632