分子線エピタキシー法...

分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振 : GaAs系バイセクションレーザによるパルス発生を目指して

記事を表すアイコン

分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振 : GaAs系バイセクションレーザによるパルス発生を目指して

国立国会図書館請求記号
Z14-B424
国立国会図書館書誌ID
031831069
資料種別
記事
著者
宮嶋 孝夫ほか
出版者
名古屋 : 名城大学総合研究所
出版年
2020
資料形態
掲載誌名
名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編 (25):2020
掲載ページ
p.17-19
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
宮嶋 孝夫
荒川 亮太
石川 裕介
神林 大介
森田 悠斗
森本 晃平
宇野 光輝
下原 光貴
今井 大地
成塚 重弥
並列タイトル等
Room-temperature Pulsed-operation of GaAs-based Semiconductor Laser Diodes Grown by MBE : Toward the realization of GaAs-based ultra-short pulsed laser diodes
タイトル(掲載誌)
名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編
巻号年月日等(掲載誌)
(25):2020
掲載号
25
掲載ページ
17-19
掲載年月日(W3CDTF)
2020