歪み導入したアモルフ...

歪み導入したアモルファスBドープIn₂O₃透明導電膜の機械的柔軟性 (電子材料研究会 フレキシブル素子応用に向けた新規薄膜電子材料の合成と評価)

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歪み導入したアモルファスBドープIn₂O₃透明導電膜の機械的柔軟性

(電子材料研究会 フレキシブル素子応用に向けた新規薄膜電子材料の合成と評価)

国立国会図書館請求記号
Z43-226
国立国会図書館書誌ID
031847616
資料種別
記事
著者
森 峻ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2021-11-18
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. EFM / 電気学会電子材料研究会 [編] 2021(1-15):2021.11.18
掲載ページ
p.25-28
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
森 峻
一関 夢希也
渡辺 幸太郎
村野 海渡
大榮 海斗
相川 慎也
並列タイトル等
Mechanical flexibility of strain-induced amorphous B-doped In₂O₃ transparent conducting films
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. EFM / 電気学会電子材料研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2021(1-15):2021.11.18
掲載巻
2021
掲載号
1-15