組成傾斜InGaAsSbベースを有するDHBTにおけるアンチモンの拡散について(特集 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用)

• 資料種別: 記事
• タイトル: 組成傾斜InGaAsSbベースを有するDHBTにおけるアンチモンの拡散について
• 著者・編者: 星 拓也; 白鳥 悠太; 杉山 弘樹; 松崎 秀昭
• シリーズタイトル: 特集 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用
• 著者標目: 星 拓也; 白鳥 悠太; 杉山 弘樹; 松崎 秀昭
• 並列タイトル等: A Study of Antimony Diffusion of DHBTs with Compositionally Graded InGaAsSb Base
• タイトル（掲載誌）: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
• 巻号年月日等（掲載誌）: 142(3):2022.3
• 掲載巻: 142
• 掲載号: 3
• 掲載ページ: 342-347
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2022-03
• ISSN（掲載誌）: 0385-4221
• ISSN-L（掲載誌）: 0385-4221
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ; 有機金属化学気相堆積; double heterojunction bipolar transistor; metal-organic chemical vapor deposition
• NDLC: ZN31
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-795
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 032021080; http://id.ndl.go.jp/bib/032021080
• 整理区分コード: 632