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微分位相コントラストSTEMを用いたGaN/AlGaN/InGaNマルチヘテロ接合の局所電場観察 (特集 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用)

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微分位相コントラストSTEMを用いたGaN/AlGaN/InGaNマルチヘテロ接合の局所電場観察(特集 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用)

国立国会図書館請求記号
Z16-795
国立国会図書館書誌ID
032021123
資料種別
記事
著者
遠山 慧子ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2022-03
資料形態
掲載誌名
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems 142(3):2022.3
掲載ページ
p.367-372
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
遠山 慧子
関 岳人
蟹谷 裕也
冨谷 茂隆
幾原 雄一
柴田 直哉
並列タイトル等
The Observation of Local Electric Fields in GaN/AlGaN/InGaN Multi-heterostructures by Differential Phase Contrast STEM
タイトル(掲載誌)
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
巻号年月日等(掲載誌)
142(3):2022.3
掲載巻
142
掲載号
3