温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究 (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・電力変換器とその制御)

温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究

(電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・電力変換器とその制御)

掲載誌名: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2023(26-37・39-44):2023.10.26

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資料種別: 記事
タイトル: 温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究
著者・編者: 井口創介
原田茂樹
浦壁隆浩
中嶋純一
堀口剛司
椋木康滋
シリーズタイトル: 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・電力変換器とその制御
著者標目: 井口創介
原田茂樹
浦壁隆浩
中嶋純一
堀口剛司
椋木康滋
並列タイトル等: Study on Modeling of GaN Devices with Temperature Dependency
タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）: 2023(26-37・39-44):2023.10.26
掲載巻: 2023
掲載号: 26-37・39-44
掲載ページ: 71-76
掲載年月日（W3CDTF）: 2023-10-26
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: EDD-23-037
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z43-225
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 033146923
http://id.ndl.go.jp/bib/033146923
整理区分コード: 632