離間BP層CSTBTによるターンオフ損失の低減 (電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・電力変換器とその制御)

離間BP層CSTBTによるターンオフ損失の低減

(電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・電力変換器とその制御)

掲載誌名: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2023(45-67):2023.10.27

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資料種別: 記事
タイトル: 離間BP層CSTBTによるターンオフ損失の低減
著者・編者: 小西和也
新田哲也
玉城朋宏
曽根田真也
シリーズタイトル: 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・電力変換器とその制御
著者標目: 小西和也
新田哲也
玉城朋宏
曽根田真也
並列タイトル等: Separate-Bottom P layer CSTBT for Approaching Turn-off Switching Loss Reduction Limit
タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
巻号年月日等（掲載誌）: 2023(45-67):2023.10.27
掲載巻: 2023
掲載号: 45-67
掲載ページ: 1-4
掲載年月日（W3CDTF）: 2023-10-27
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: EDD-23-045
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z43-225
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 033147887
http://id.ndl.go.jp/bib/033147887
整理区分コード: 632