Three-temp...

Three-temperature Model for Silicon Damage Process (特集 光量子科学によるものづくりCPS化拠点 : 若手研究者による次世代レーザー加工に向けた研究成果)

記事を表すアイコン

Three-temperature Model for Silicon Damage Process

(特集 光量子科学によるものづくりCPS化拠点 : 若手研究者による次世代レーザー加工に向けた研究成果)

国立国会図書館請求記号
Z16-B323
国立国会図書館書誌ID
033356797
資料種別
記事
著者
ベンカット プラチほか
出版者
吹田 : レーザ加工学会
出版年
2024-02
資料形態
掲載誌名
レーザ加工学会誌 = Journal of Japan Laser Processing Society 31(1):2024.2
掲載ページ
p.26-32
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
ベンカット プラチ
乙部 智仁
並列タイトル等
3温度モデルによるシリコンの損傷閾値の解析 3 オンド モデル ニ ヨル シリコン ノ ソンショウ イキチ ノ カイセキ
タイトル(掲載誌)
レーザ加工学会誌 = Journal of Japan Laser Processing Society
巻号年月日等(掲載誌)
31(1):2024.2
掲載巻
31
掲載号
1