金属コア基板を用いて実現した多並列GaNパワー半導体を有する高電力密度インバータの大電力検証

• 資料種別: 記事
• タイトル: 金属コア基板を用いて実現した多並列GaNパワー半導体を有する高電力密度インバータの大電力検証
• 著者・編者: 山中 駿輔; 梅谷 和弘; 石原 將貴; 平木 英治
• シリーズタイトル: 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会 電力技術一般およびそれに関連する半導体電力変換技術
• 著者標目: 山中 駿輔; 梅谷 和弘; 石原 將貴; 平木 英治
• 並列タイトル等: High-power verification of a high-power density inverter with multiple parallel GaN power semiconductors realized using a metal core substrate
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. PSE = The papers of Technical Meeting on "Power Systems Engineering", IEE Japan / 電力系統技術研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2025(76-97・99-103・105-110):2025.3.7
• 掲載巻: 2025
• 掲載号: 76-97・99-103・105-110
• 掲載ページ: 177-182
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2025-03-07
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN-HEMT; インバータ; 寄生インダクタンス; スナバコンデンサ; 金属コア基板; 大電力試験; Inverter; Parasitic Inductance; Snubber Capacitor; Metal Core Substrate; High Power Test
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: PSE-25-107
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z74-B200
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 034144530; http://id.ndl.go.jp/bib/034144530
• 整理区分コード: 632