SiCバイポーラデバイスにおけるプロトン注入による順方向通電劣化の抑制効果とそのメカニズム

• 資料種別: 記事
• タイトル: SiCバイポーラデバイスにおけるプロトン注入による順方向通電劣化の抑制効果とそのメカニズム
• 著者・編者: 原田 俊太; 坂根 仁; Li Tong; 加藤 正史
• シリーズタイトル: 電子デバイス研究会 化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション
• 著者標目: 原田 俊太; 坂根 仁; Li Tong; 加藤 正史
• 並列タイトル等: Suppression of Forward-Bias Degradation in SiC Bipolar Devices by Proton Implantation and its Mechanism
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2025(41-50):2025.4.16・17
• 掲載巻: 2025
• 掲載号: 41-50
• 掲載ページ: 7-12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2025-04
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 炭化ケイ素; バイポーラ劣化; 積層欠陥; 基底面転位; プロトン注入; silicon carbide (SiC); bipolar degradation; stacking faults; basal plane dislocation (BPD); proton implantation
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EDD-25-042
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-225
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 034160336; http://id.ndl.go.jp/bib/034160336
• 整理区分コード: 632