Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 (シリコン材料・デバイス)

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Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10247028
資料種別
記事
著者
茅野 真也ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-05
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(25) 2009.5.14・15
掲載ページ
p.17~20
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
茅野 真也
堀内 郁志
以西 雅章
シリーズタイトル
並列タイトル等
Preparation of Ga2O3 films and evaluation of oxygen sensing properties
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(25) 2009.5.14・15
掲載巻
109
掲載号
25