Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits

• 資料種別: 記事
• タイトル: Advanced magnetic tunnel junctions for hybrid spintronics/CMOS circuits
• 著者・編者: Shoji Ikeda; Jun Hayakawa; Huadong Gan 他
• シリーズタイトル: Silicon devices and materials
• 著者標目: Shoji Ikeda; Jun Hayakawa; Huadong Gan
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 109(98) 2009.6.24-26
• 掲載巻: 109
• 掲載号: 98
• 掲載ページ: 5～8
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2009-06
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Tunnel magnetoresistance; current-induced magnetization switching; MgO; CoFeB; synthetic ferromagnetic free layer
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2009-46
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10275186; http://id.ndl.go.jp/bib/10275186
• 整理区分コード: 632