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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
109(285)-109(290):2009.11.13-2009.11.20
記事
Moマスク選択成長法...
Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 (電子デバイス)
記事を表すアイコン
Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長
(電子デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10478014
資料種別
記事
著者
神村 淳平ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-11
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(288) 2009.11.19・20
掲載ページ
p.13~16
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長
著者・編者
神村 淳平
岸野 克巳
菊池 昭彦
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
神村 淳平
岸野 克巳
菊池 昭彦
並列タイトル等
MBE growth of well-aligned InN crystals using Mo-mask selective area growth technique
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(288) 2009.11.19・20
掲載巻
109
掲載号
288
掲載ページ
13~16
掲載年月日(W3CDTF)
2009-11
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
InN
選択成長
分子線エピタキシー
サファイア基板
Selective-Area Growth
Molecular Beam Epitaxy
Sapphire(0001) substrate
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
ED2009-131
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
10478014
http://id.ndl.go.jp/bib/10478014
整理区分コード
632
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