HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製

• 資料種別: 記事
• タイトル: HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製
• 著者・編者: 佐々木 斉; 後藤 裕輝; 碓井 彰
• シリーズタイトル: レーザ・量子エレクトロニクス
• 著者標目: 佐々木 斉; 後藤 裕輝; 碓井 彰
• 並列タイトル等: HVPE growth of {11-22} GaN crystals on m-plane sapphire substrates
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 109(290) 2009.11.19・20
• 掲載巻: 109
• 掲載号: 290
• 掲載ページ: 5～8
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2009-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; 結晶成長; HVPE; 半極性面; {11-22}; サファイヤ基板; Crystal Growth; Semi-polar Plane; Sapphire Substrate
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2009-108
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10478208; http://id.ndl.go.jp/bib/10478208
• 整理区分コード: 632