InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて--発光素子から太陽電池への展開

• 資料種別: 記事
• タイトル: InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて--発光素子から太陽電池への展開
• 著者・編者: 草部 一秀; 石谷 善博; 吉川 明彦
• シリーズタイトル: レーザ・量子エレクトロニクス
• 著者標目: 草部 一秀; 石谷 善博; 吉川 明彦
• 並列タイトル等: Proposal of ultrathin InN-based asymmetric structure 3-N QWs for novel photonic devices: development from emitters into solar cells
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 109(290) 2009.11.19・20
• 掲載巻: 109
• 掲載号: 290
• 掲載ページ: 79～82
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2009-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 1分子層InN; InGaN混晶; 太陽電池; 光増感効果; 1 ML-InN; InGaN alloys; Solar cell; Photo-sensitization
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2009-124
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10478314; http://id.ndl.go.jp/bib/10478314
• 整理区分コード: 632