RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire基板上半極性面InNの結晶成長(特集電気関係学会関西支部連合大会)

掲載誌名: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems 129(11) 2009.11

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資料種別: 記事
タイトル: RF-MBE法によるr面(10-12)Sapphire基板上半極性面InNの結晶成長
著者・編者: 中谷佳津彦
川島圭介
山口智広他
シリーズタイトル: 特集電気関係学会関西支部連合大会
著者標目: 中谷佳津彦
川島圭介
山口智広
並列タイトル等: Growth of semipolar InN on r-plane (10-12) sapphire by RF-MBE
タイトル（掲載誌）: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
巻号年月日等（掲載誌）: 129(11) 2009.11
掲載巻: 129
掲載号: 11
掲載ページ: 1974～1977
掲載年月日（W3CDTF）: 2009-11
ISSN（掲載誌）: 0385-4221
ISSN-L（掲載誌）: 0385-4221
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 窒化インジウム
半極性面
分子線エピタキシー
r面Sapphire
InN
semipolar
RF-MBE
r-plane sapphire
NDLC: ZN31
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-795
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10481867
http://id.ndl.go.jp/bib/10481867
整理区分コード: 632