200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究--ドープ量依存性 (シリコン材料・デバイス)

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200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究--ドープ量依存性

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10511772
資料種別
記事
著者
柳澤 英樹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-12-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(321) 2009.12.4
掲載ページ
p.17~22
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
柳澤 英樹
西野 公三
野尻 琢慎 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Research on radiation resistance in SiC epilayer by 200 keV electron irradiation: dopant-density dependence
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(321) 2009.12.4
掲載巻
109
掲載号
321