HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 (マイクロ波)

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HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱

(マイクロ波)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10553536
資料種別
記事
著者
山田 真之ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2010-01
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(361) 2010.1.13-15
掲載ページ
p.43~48
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
山田 真之
上澤 岳史
宮本 恭幸 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Deviation from proportional relationship between emitter charging time and inverse current of heterojunction bipolar transistors operating at high current density
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(361) 2010.1.13-15
掲載巻
109
掲載号
361