再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs

• 資料種別: 記事
• タイトル: 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs
• 著者・編者: 廣木 正伸; 前田 就彦; 重川 直輝
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 廣木 正伸; 前田 就彦; 重川 直輝
• 並列タイトル等: Compressively strained InAlN/AlGaN/GaN FETs with regrown AlGaN contact layers
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 109(360) 2010.1.13-15
• 掲載巻: 109
• 掲載号: 360
• 掲載ページ: 71～76
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-01
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; InAlN; AlInN; FET; HEMT; Enhancement-Mode; Normally Off
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2009-187
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10553894; http://id.ndl.go.jp/bib/10553894
• 整理区分コード: 632