InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価(電子ディスプレイ)

• 資料種別: 記事
• タイトル: InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価
• 著者・編者: 山口 朋彦; 五十嵐 航平; 福田 武司 他
• シリーズタイトル: 電子ディスプレイ
• 著者標目: 山口 朋彦; 五十嵐 航平; 福田 武司
• 並列タイトル等: Characterization of nonradiative recombination centers in InGaN Quantum wells by two-wavelength excited photoluminescence
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 109(404) 2010.1.28・29
• 掲載巻: 109
• 掲載号: 404
• 掲載ページ: 33～36
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-01
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: InGaN; Siドープ; 量子井戸構造; 非発光再結合準位; 2波長励起フォトルミネッセンス法; Si-doping; Quantum well structure; Non-radiative recombination center; Two-wavelength excited photoluminescence
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EID2009-55
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10555572; http://id.ndl.go.jp/bib/10555572
• 整理区分コード: 632