高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数
• 著者・編者: 池田 浩也; Faiz Salleh
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 池田 浩也; Faiz Salleh
• 並列タイトル等: Seebeck coefficient in heavily-doped SOI layers
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 109(423) 2010.2.22・23
• 掲載巻: 109
• 掲載号: 423
• 掲載ページ: 5～9
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-02
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 熱電変換材料; ナノ構造; SOI基板; ゼーベック係数; 不純物バンド; thermoelectricity; nanostructure; SOI wafer; Seebeck coefficient; impurity band
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2009-194
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10592437; http://id.ndl.go.jp/bib/10592437
• 整理区分コード: 632