単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析(小特集グラフェンの創製と応用--最近の動向)

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資料種別: 記事
タイトル: 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
著者・編者: 日比野浩樹
影島博之
永瀬雅夫
シリーズタイトル: 小特集グラフェンの創製と応用--最近の動向
著者標目: 日比野浩樹
影島博之
永瀬雅夫
並列タイトル等: Analysis of number of layers in epitaxial few-layer graphene grown on SiC towards single-crystal graphene substrate
タイトル（掲載誌）: Journal of the Vacuum Society of Japan = 真空
巻号年月日等（掲載誌）: 53(2) 2010.2
掲載巻: 53
掲載号: 2
掲載ページ: 101～108
掲載年月日（W3CDTF）: 2010-02
ISSN（掲載誌）: 1882-2398
ISSN-L（掲載誌）: 1882-2398
出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本真空協会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN15
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-474
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10606205
http://id.ndl.go.jp/bib/10606205
整理区分コード: 632