雑誌顕微鏡
巻号45(1) 2010
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AlGaAsバッファ層を有するGaAs(001)基板上に成長させた立方晶GaNの構造相転移のTEMによる研究 (特集 アジア若手の研究から)

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AlGaAsバッファ層を有するGaAs(001)基板上に成長させた立方晶GaNの構造相転移のTEMによる研究(特集 アジア若手の研究から)

国立国会図書館請求記号
Z16-896
国立国会図書館書誌ID
10652260
資料種別
記事
著者
Jamreonta Parinyataramasほか
出版者
東京 : 日本顕微鏡学会
出版年
2010
資料形態
紙
掲載誌名
顕微鏡 = Microscopy / 「顕微鏡」編集委員会 編 45(1) 2010
掲載ページ
p.13～17
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紙 デジタル

資料種別
記事
タイトル
AlGaAsバッファ層を有するGaAs(001)基板上に成長させた立方晶GaNの構造相転移のTEMによる研究
著者・編者
Jamreonta Parinyataramas
Sakuntam Sanorpim
Chanchana Thanachayanont 他
シリーズタイトル
特集 アジア若手の研究から
著者標目
Jamreonta Parinyataramas
Sakuntam Sanorpim
Chanchana Thanachayanont
並列タイトル等
TEM study of structural phase transition in cubic phase GaN grown on GaAs(001) with AlGaAs intermediated layer
タイトル（掲載誌）
顕微鏡 = Microscopy / 「顕微鏡」編集委員会 編
巻号年月日等（掲載誌）
45(1) 2010
掲載巻
45
掲載号
1