Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb

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Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb

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資料種別: 記事
タイトル: Void formation and structure change induced by heavy ion irradiation in GaSb and InSb
著者・編者: Noriko Nitta
Tokiya Hasegawa
Hidehiro Yasuda 他
著者標目: Noriko Nitta
Tokiya Hasegawa
Hidehiro Yasuda
タイトル（掲載誌）: Materials transactions
巻号年月日等（掲載誌）: 51(6) 2010.6
掲載巻: 51
掲載号: 6
掲載ページ: 1059～1063
掲載年月日（W3CDTF）: 2010-06
ISSN（掲載誌）: 1345-9678
ISSN-L（掲載誌）: 1345-9678
出版事項（掲載誌）: Sendai : The Japan Institute of Metals and Materials ; 2001-
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: gallium antimonide
indium antimonide
3-5 compound semiconductor
thin foil irradiation
tin ion
void
point defects
vacancy
interstitial
transmission electron microscopy
anti phase boundary
NDLC: ZP41
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-J286
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10690493
http://id.ndl.go.jp/bib/10690493
整理区分コード: 632