電源用AlGaN/GaN FETの開発(特集 最新のパワー半導体技術とその応用--シリコンとワイドバンドギャップ半導体)

• 資料種別: 記事
• タイトル: 電源用AlGaN/GaN FETの開発
• 著者・編者: 馬場 良平; 町田 修; 金子 信男 他
• シリーズタイトル: 特集 最新のパワー半導体技術とその応用--シリコンとワイドバンドギャップ半導体
• 著者標目: 馬場 良平; 町田 修; 金子 信男
• 並列タイトル等: Development of AlGaN/GaN FETs for power supply
• タイトル（掲載誌）: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
• 巻号年月日等（掲載誌）: 130(6) 2010.6
• 掲載巻: 130
• 掲載号: 6
• 掲載ページ: 924～928
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-06
• ISSN（掲載誌）: 0385-4221
• ISSN-L（掲載誌）: 0385-4221
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化ガリウム; 電界効果トランジスタ; 逆導通; ノーマリオフ; GaN; FET; reverse conduction; normally-off
• NDLC: ZN31
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-795
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10693973; http://id.ndl.go.jp/bib/10693973
• 整理区分コード: 632

• 要約等: AlGaN/GaN FET with a built-in SBD which has a reverse conductive operation and normally-off characteristics is fabricated for the purpose of designing GaN power device for power supply. The fabricated device exhibited a threshold voltage of +0.8V and excellent reverse conductive characteristics. In addition, low capacitance characteristics are obtained due to the reduction of mirror effect. From these results, it is confirmed that the fabricated device is effective for low loss power switching device.
• DOI: 10.1541/ieejeiss.130.924
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 科学技術振興機構 : J-STAGE; http://www.jstage.jst.go.jp

• 要約等: AlGaN/GaN FET with a built-in SBD which has a reverse conductive operation and normally-off characteristics is fabricated for the purpose of designing GaN power device for power supply. The fabricated device exhibited a threshold voltage of +0.8V and excellent reverse conductive characteristics. In addition, low capacitance characteristics are obtained due to the reduction of mirror effect. From these results, it is confirmed that the fabricated device is effective for low loss power switching device.
• DOI: 10.1541/ieejeiss.130.924; https://doi.org/10.1541/ieejeiss.130.924
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 関連情報（URI）: http://id.ndl.go.jp/bib/10693973; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10693973; http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/130/6/130_6_924/_pdf
• 参照: Analysis and Design of Class-E Amplifier with Nonlinear Output Capacitance Model Using Sigmoid Function for GaN HEMT; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390019204224192768
• 参照: Evaluation of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Si Substrate in Power Factor Correction Circuit; https://cir.nii.ac.jp/crid/1360566396807032192; Recessed-gate structure approach toward normally off high-Voltage AlGaN/GaN HEMT for power electronics applications; https://cir.nii.ac.jp/crid/1363388845170990336; On the resolution of the mechanism for reverse gate leakage in AlGaN/GaN HEMTs; https://cir.nii.ac.jp/crid/1363670319911117056; AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors (HFETs) on Si Substrates for Large-Current Operation; https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282681241054592
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• 提供元機関・データベース: Japan Link Center; https://japanlinkcenter.org/top; 雑誌記事索引データベース; https://ndlsearch.ndl.go.jp; Crossref; https://www.crossref.org; CiNii Articles
• 書誌ID（NDLBibID）: 10693973; http://id.ndl.go.jp/bib/10693973
• NII論文ID: 10026382606