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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
110(29) 2010.5.13・14
記事
Eu添加AlGaN/...
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討 (電子デバイス)
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Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
(電子デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10711775
資料種別
記事
著者
近藤 正樹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2010-05
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(29) 2010.5.13・14
掲載ページ
p.11~16
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
著者・編者
近藤 正樹
秦 貴幸
岡田 浩 他
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
近藤 正樹
秦 貴幸
岡田 浩
並列タイトル等
Study of light emitting device based-on AlGaN/GaN:Eu HEMT structure
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
110(29) 2010.5.13・14
掲載巻
110
掲載号
29
掲載ページ
11~16
掲載年月日(W3CDTF)
2010-05
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
Eu
AlGaN/GaN
HEMT
イオン注入
発光素子
希土類元素
ion implantation
EL device
rare-earth
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
ED2010-19
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
10711775
http://id.ndl.go.jp/bib/10711775
整理区分コード
632
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