Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討

• 資料種別: 記事
• タイトル: Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
• 著者・編者: 近藤 正樹; 秦 貴幸; 岡田 浩 他
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 近藤 正樹; 秦 貴幸; 岡田 浩
• 並列タイトル等: Study of light emitting device based-on AlGaN/GaN:Eu HEMT structure
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(29) 2010.5.13・14
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 29
• 掲載ページ: 11～16
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-05
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: Eu; AlGaN/GaN; HEMT; イオン注入; 発光素子; 希土類元素; ion implantation; EL device; rare-earth
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2010-19
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10711775; http://id.ndl.go.jp/bib/10711775
• 整理区分コード: 632