DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定

• 資料種別: 記事
• タイトル: DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定
• 著者・編者: 渡邉 新; 江川 孝志
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 渡邉 新; 江川 孝志
• 並列タイトル等: Measurement of electron traps in n-GaN on Si(111) substrates by deep-level transient spectroscopy
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(31) 2010.5.13・14
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 31
• 掲載ページ: 1～4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-05
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: Si基板; GaN; DLTS; deep level; MOCVD; Si substrate
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2010-17
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10712268; http://id.ndl.go.jp/bib/10712268
• 整理区分コード: 632