InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 (電子デバイス)

InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長

(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長
著者・編者: 岩杉達矢
Sara Khamseh
角田梓他
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 岩杉達矢
Sara Khamseh
角田梓
並列タイトル等: Growth of InSb films on the V-grooved Si(001) substrate with InSb bi-layer
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 110(80) 2010.6.17・18
掲載巻: 110
掲載号: 80
掲載ページ: 1～4
掲載年月日（W3CDTF）: 2010-06
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: V溝型(111)面
InSb単分子層
V-grooved (111) surface
InSb bi-layer
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2010-33
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10750998
http://id.ndl.go.jp/bib/10750998
整理区分コード: 632