Modulation of PtSi work function by alloying with low work function metal (Electron devices)

Modulation of PtSi work function by alloying with low work function metal

(Electron devices)

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資料種別: 記事
タイトル: Modulation of PtSi work function by alloying with low work function metal
著者・編者: Jun Gao
Jumpei Ishikawa
Shun-ichiro Ohmi
シリーズタイトル: Electron devices
著者標目: Jun Gao
Jumpei Ishikawa
Shun-ichiro Ohmi
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 110(109) 2010.6-7.30-2
掲載巻: 110
掲載号: 109
掲載ページ: 173～176
掲載年月日（W3CDTF）: 2010
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: PtSi
monosilicide
alloy
Schottky barrier height
SBH
work function
sheet resistance
SWC-anneal
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2010-91
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10752418
http://id.ndl.go.jp/bib/10752418
整理区分コード: 632