Evaluation of 1/f noise characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET

• 資料種別: 記事
• タイトル: Evaluation of 1/f noise characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET
• 著者・編者: Takuya Imamoto; Takeshi Sasaki; Tetsuo Endoh
• シリーズタイトル: Electron devices
• 著者標目: Takuya Imamoto; Takeshi Sasaki; Tetsuo Endoh
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(109) 2010.6-7.30-2
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 109
• 掲載ページ: 195～198
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: 1/f noise; MOSFET; High-k; Random Telegraph Signal; RTS
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2010-95
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10752459; http://id.ndl.go.jp/bib/10752459
• 整理区分コード: 632