原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤ トランジスタの開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤ トランジスタの開発
• 著者・編者: 右田 真司; 森田 行則; 太田 裕之
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 右田 真司; 森田 行則; 太田 裕之
• 並列タイトル等: Development of silicon nanowire MOSFETs through atomic-scale design concepts
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(90) 2010.6.22
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 90
• 掲載ページ: 5～10
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-06-22
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコンナノワイヤ; トランジスタ; 酸素エッチング; 原子層エッチング; メタルソースドレイン; ニッケルシリサイド; エピタキシャル成長; 成長自己停止作用; Silicon Nanowire; MOSFET; O2 etching; atomic-layer etching; active oxidation; metal source and drain; nickel silicide; NiSi2; epitaxial growth; self-limiting growth
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2010-34
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10752866; http://id.ndl.go.jp/bib/10752866
• 整理区分コード: 632