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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号110(90) 2010.6.22
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キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)

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キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10752885
資料種別
記事
著者
佐藤 創志ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2010-06-22
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(90) 2010.6.22
掲載ページ
p.11～16
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紙

資料種別
記事
タイトル
キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析
著者・編者
佐藤 創志
角嶋 邦之
Parhat Ahmet 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス
著者標目
佐藤 創志
角嶋 邦之
Parhat Ahmet
並列タイトル等
An analysis of effective carrier mobility of silicon nanowire FET
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
110(90) 2010.6.22
掲載巻
110
掲載号
90