巻号(39) 2010
光励起キャリア数を制...

光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究

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光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究

国立国会図書館請求記号
Z14-B428
国立国会図書館書誌ID
10837811
資料種別
記事
著者
田村 仁ほか
出版者
宮崎 : 宮崎大学工学部
出版年
2010
資料形態
掲載誌名
Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki = 宮崎大学工学部紀要 / 宮崎大学工学部 編 (39) 2010
掲載ページ
p.15~18
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
田村 仁
壹岐 俊洋
境 健太郎 他
並列タイトル等
A study of the recombination process at the p-n junction interface by the photoexcited-carrier-concentration controlled piezoelectric photothermal method
タイトル(掲載誌)
Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki = 宮崎大学工学部紀要 / 宮崎大学工学部 編
巻号年月日等(掲載誌)
(39) 2010
掲載号
39
掲載ページ
15~18
掲載年月日(W3CDTF)
2010