雑誌材料
低温成長したAlGd...

低温成長したAlGdN蛍光体薄膜における深紫外発光効率の向上 (特集 半導体エレクトロニクス)

記事を表すアイコン

低温成長したAlGdN蛍光体薄膜における深紫外発光効率の向上(特集 半導体エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z14-267
国立国会図書館書誌ID
10839446
資料種別
記事
著者
來山 真也ほか
出版者
京都 : 日本材料学会
出版年
2010-09
資料形態
掲載誌名
材料 / 日本材料学会 [編] 59(9) 2010.9
掲載ページ
p.666~670
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
來山 真也
吉富 大明
喜多 隆 他
並列タイトル等
Highly efficient ultra-violet luminescence from low-temperature grown AlGdN
タイトル(掲載誌)
材料 / 日本材料学会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
59(9) 2010.9
掲載巻
59
掲載号
9