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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
110(270)-110(279):2010.11.11-2010.11.14
記事
疑似(111)Al基...
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 (電子デバイス)
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疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
(電子デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10914672
資料種別
記事
著者
本田 徹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2010-11
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(271) 2010.11.11・12
掲載ページ
p.11~14
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
著者・編者
本田 徹
林 才人
後藤 大雅 他
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
本田 徹
林 才人
後藤 大雅
並列タイトル等
GaN growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
110(271) 2010.11.11・12
掲載巻
110
掲載号
271
掲載ページ
11~14
掲載年月日(W3CDTF)
2010-11
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
窒化ガリウム
GaN
Al基板
MBE
gallium nitride
Al substrate
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
ED2010-144
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
10914672
http://id.ndl.go.jp/bib/10914672
整理区分コード
632
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