ミリ波高出力GaN-HEMT

• 資料種別: 記事
• タイトル: ミリ波高出力GaN-HEMT
• 著者・編者: 牧山 剛三; 多木 俊裕; 岡本 直哉 他
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 牧山 剛三; 多木 俊裕; 岡本 直哉
• 並列タイトル等: High-power GaN-HEMT for millimeter-wave amplifier
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(271) 2010.11.11・12
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 271
• 掲載ページ: 51～54
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN-HEMT; ミリ波; 増幅器; 電流コラプス; 窒化珪素; Millimeter wave; Amplifier; Current collapse; Silicon nitride
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2010-153
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10914863; http://id.ndl.go.jp/bib/10914863
• 整理区分コード: 632