疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長
• 著者・編者: 本田 徹; 林 才人; 後藤 大雅 他
• シリーズタイトル: 電子部品・材料
• 著者標目: 本田 徹; 林 才人; 後藤 大雅
• 並列タイトル等: GaN growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(272) 2010.11.11・12
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 272
• 掲載ページ: 11～14
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化ガリウム; GaN; Al基板; MBE; gallium nitride; Al substrate
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2010-110
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10914969; http://id.ndl.go.jp/bib/10914969
• 整理区分コード: 632