硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
• 著者・編者: 菊田 大悟; 成田 哲生; 高橋 直子 他
• シリーズタイトル: 電子部品・材料
• 著者標目: 菊田 大悟; 成田 哲生; 高橋 直子
• 並列タイトル等: Study of etching-induced damage in p-type GaN by hard X-ray photoelectron spectroscopy
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(272) 2010.11.11・12
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 272
• 掲載ページ: 59～62
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; 硬X線光電子分光; ドライエッチング; エッチングダメージ; 誘導結合プラズマ; Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy; HAX-PES; dry etching; etching-induced damage; inductively-coupled plasma
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2010-121
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10915219; http://id.ndl.go.jp/bib/10915219
• 整理区分コード: 632