RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討

• 資料種別: 記事
• タイトル: RF-MBE法を用いたr面サファイア基板上A面InN結晶高品質化に関する検討
• 著者・編者: 荒木 努; 川島 圭介; 山口 智広 他
• シリーズタイトル: レーザ・量子エレクトロニクス
• 著者標目: 荒木 努; 川島 圭介; 山口 智広
• 並列タイトル等: Study on improved crystal quality of non-polar A-plane InN grown on r-plane sapphire by RF-MBE
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 110(273) 2010.11.11・12
• 掲載巻: 110
• 掲載号: 273
• 掲載ページ: 7～10
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2010-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: InN; 無極性面; 結晶成長; MBE; 窒化; バッファ層; non-polar; crystal growth; nitridation; buffer layer
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2010-99
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 10915332; http://id.ndl.go.jp/bib/10915332
• 整理区分コード: 632