ブレークスルーのイノ...

ブレークスルーのイノベーション理論--メモリーデバイス産業は「ムーア以後」にどう立ち向かうか? (メモリーデバイス研究の最前線)

記事を表すアイコン

ブレークスルーのイノベーション理論--メモリーデバイス産業は「ムーア以後」にどう立ち向かうか?(メモリーデバイス研究の最前線)

国立国会図書館請求記号
Z15-243
国立国会図書館書誌ID
10927088
資料種別
記事
著者
山口 栄一
出版者
東京 : 応用物理学会
出版年
2010-12
資料形態
掲載誌名
応用物理 79(12) 2010.12
掲載ページ
p.1077~1083
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
山口 栄一
著者標目
並列タイトル等
Innovation theory leading to breakthroughs: how will the memory device industry face the "post-Moore" future?
タイトル(掲載誌)
応用物理
巻号年月日等(掲載誌)
79(12) 2010.12
掲載巻
79
掲載号
12