Blueshifting of ion-implanted InGaAs/InGaAsP multiple quantum well structures using two-step rapid temperature annealing process

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Blueshifting of ion-implanted InGaAs/InGaAsP multiple quantum well structures using two-step rapid temperature annealing process

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資料種別: 記事
タイトル: Blueshifting of ion-implanted InGaAs/InGaAsP multiple quantum well structures using two-step rapid temperature annealing process
著者・編者: Young Tae Byun
Young-Min Jhon
Sun Ho Kim
著者標目: Young Tae Byun
Young-Min Jhon
Sun Ho Kim
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 50(3) (1) 2011.3
掲載巻: 50
掲載号: 3
その他巻次: 1
掲載ページ: 030202-1～3
掲載年月日（W3CDTF）: 2011-03
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 11054039
http://id.ndl.go.jp/bib/11054039
整理区分コード: 632