紫外励起近接場ラマン...

紫外励起近接場ラマン顕微鏡によるシリコン半導体の二次元応力評価

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紫外励起近接場ラマン顕微鏡によるシリコン半導体の二次元応力評価

国立国会図書館請求記号
Z17-9
国立国会図書館書誌ID
11185534
資料種別
記事
著者
吉川 正信
出版者
東京 : 日本分析化学会
出版年
2011-07
資料形態
掲載誌名
分析化学 / 日本分析化学会 編 60(7) (通号 690) 2011.7
掲載ページ
p.533~541
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
吉川 正信
著者標目
並列タイトル等
Two dimensional stress characterization of Si by a scanning near-field optical Raman microscope using ultraviolet resonant Raman scattering
タイトル(掲載誌)
分析化学 / 日本分析化学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
60(7) (通号 690) 2011.7
掲載巻
60
掲載号
7
掲載通号
690